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晶须是什么

晶须是由高纯度单晶生长而成的微纳米级的短纤维。其机械强度等于邻接原子间力产生的强度。晶须的高度取向结构不仅使其具有高强度、高模量和高伸长率，而且还具有电、光、磁、介电、导电、超导电性质。

晶须是指自然形成或者在人工控制条件下（主要形式）以单晶形式生长成的一种纤维，其直径非常小（微米数量级），不含有通常材料中存在的缺陷（晶界、位错、空穴等），其原子排列高度有序，因而其强度接近于完整晶体的理论值。

晶须是指在人工控制条件下以单晶形式生长成的一种纤维，其直径非常小（微米数量级），不含有通常材料中存在的缺陷（晶界、位错、空穴等），其原子排列高度有序，因而其强度接近于完整晶体的理论值。由于用晶须增强的复合材料具有达到高强度的潜力，因此晶须的研究和开发受到了高度重视。虽然60年代已开发了近百种不同材料晶须的实验品，但是由于技术复杂，价格高昂，很少有实用价值。

1975年从稻壳制备β-SiC晶须，为工业生产打开局面。

80年代后实现了大规模生产SiC晶须，又开发了SiC晶须的金属基、陶瓷基、树脂基的复合材料，发展了Al2O3、Si3N4、K2O.6TiO2、TiN、TiB2、Zn-Ni等晶须新品种，晶须材料得到进一步发展。

晶须除具有高强度性能外，具有保持高温强度的性能，高温时晶须比常用的高温合金强度损失少得多，还具有一些特殊的磁性、电性和光学性能，可开发为功能材料。晶须主要用作复合材料的增强剂，用于航空航天飞行器构件和部件，在机械、汽车、化工、生物医学和日用工业中也得到应用。

如何评价英特尔展示的全新Sunny Cove架构

12月12日Intel举行了“架构日”活动，在这活动上Intel高管、架构师和院士们展示了下一代技术，展示了一系列处于研发中的基于10nm的PC、数据中心和网络系统，支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构，以及业界首创的3D逻辑芯片封装技术。

Sunny Cove是Intel下一代的CPU微架构，注意这只是CPU的微架构代号，如无意外它和Gen 11核显结合的话他就是Ice Lake处理器，Sunny Cove微架构会提升处理器的单线程IPC并降低功耗，它与现在基于Skylake框架的处理器有很大不同，微架构进行了增强，可并行执行更多操作，并拥有可降低延迟的新算法，增加关键缓冲区和缓存的大小，可优化以数据为中心的工作负载，增加Vector-AES及SHA-NI指令集，加速大多数常见的加密算法。

Sunny Cove架构能够减少延迟、提高吞吐量，并提供更高的并行计算能力，有望改善从游戏到多媒体到以数据为中心的应用体验。明年晚些时候，Sunny Cove将成为Intel下一代Xeon和Core处理器的基础架构。

与之一同到来的还有Gen 11核显，它将配备64组EU单元，比现在的Gen 9核显的24组足足多了一倍多，浮点运算能力超过1TFLOPS，游戏性能大幅提升，支持自适应垂直同步，而且与现在的核显相比，Gen 11核显几乎将一款流行的照片识别应用程序的性能提高了一倍，还采用业界领先的媒体编码器和解码器，支持4K***流和8K内容创作。

至于Intel的独显，他们只是重申了会在2020年面世。

与新的微架构一样重要的是，Intel展示了名为“Foveros”的全新3D封装技术，该技术首次引入了3D堆叠的优势，可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。

Foveros为整合高性能、高密度和低功耗硅工艺技术的器件和系统铺平了道路。Foveros有望首次将芯片的堆叠从传统的无源中间互连层和堆叠存储芯片扩展到高性能逻辑芯片，如CPU、图形和人工智能处理器。

该技术提供了极大的灵活性，因为设计人员可在新的产品形态中“混搭”不同的技术专利模块与各种存储芯片和I/O配置。并使得产品能够分解成更小的“芯片组合”，其中I/O、SRAM和电源传输电路可以集成在基础晶片中，而高性能逻辑“芯片组合”则堆叠在顶部。

Intel预计将从2019年下半年开始推出一系列采用Foveros技术的产品。首款Foveros产品将整合高性能10nm计算堆叠“芯片组合”和低功耗22FFL基础晶片。它将在小巧的产品形态中实现世界一流的性能与功耗效率。

继2018年Intel推出突破性的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）2D封装技术之后， Foveros将成为下一个技术飞跃。

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